HISTORIA DE LA MEMORIA RAM

LA MEMORIA RAM

La memoria RAM es una memoria volátil, es un tipo de memoria temporal que pierden sus datos cuando se quedan sin energía. Se utiliza generalmente para almacenar temporalmente datos, con este trabajo pretendemos mostrar la historia y la evolución de la memoria RAM a través del tiempo desde un punto de vista técnico.” Mensionaremos clases de memorias.

11 de mayo de 1951: nace la memoria RAM

Seis décadas atrás los grandes computadores centrales usaban relés, líneas de retraso y varias modalidades de tubos de vacío como memoria de proceso. Algunas de estas modalidades eran de acceso random, pero no todas.

Lo que permite el acceso  al random (de allí las siglas RAM, Random Access Memory), en contraste con la memoria secuencial, es un tiempo único para buscar o escribir un dato,

La búsqueda de soluciones más rápidas que permitieran correr simulaciones llevaron al profesor del MIT, Jay Forrester a diseñar una matriz tridimensional de núcleos de ferrita, en la que cada núcleo representaba un bit. Con combinaciones de corriente eléctrica, cada núcleo podía ser magnetizado y permanecía con "0″ ó "1″ magnético hasta que su valor era cambiado en un sólo ciclo de lectura-escritura. La primera memoria random era práctica y confiable, además de tener una relativa alta velocidad: sólo tomaba un microsegundo leer la información de los núcleos.

Aunque esta velocidad es cientos de miles de veces inferior a la de las memorias actuales, la introducción de la memoria de ferrita fue de gran impacto en su época.

La memoria de ferrita fue reemplazada  por los chips semiconductores en los años 70.

Aquí algunos tipos de memoria ram y como han evolucionado atravez de su historia

FPM-RAM

Fecha de introducción: 1990

Descripción de la tecnología

Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la cpu.
La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. El acceso más rápido de la FPM RAM es de 5-3-3-3 ciclos de reloj para la lectura a ráfagas de cuatro datos consecutivos

  EDO-RAM
Fecha de introducción: 1994
Descripción de la tecnología
Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).
Velocidad de transferencia: 320 MB/s

BEDO-RAM
Fecha de introducción: 1997
Descripción de la tecnología
Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz
Velocidad de transferencia: Ofrece tasas de transferencia desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s

SDR SDRAM
Descripción de la tecnología
Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior

PC66
Fecha de introducción: 1997
Velocidad de transferenciaLa velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.

 

RDRAM

Descripción de la tecnología

También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit

La tecnología RDRAM de Rambus ofrece un diseño de interface chip a chip de sistema que permite un paso de datos hasta 10 veces más rápido que la DRAM estándar, a través de un bus simplificado. Se la encuentra en módulos RIMM los que conforman el estándar de formato DIMM pero sus pines no son compatibles. Su arquitectura está basada en los requerimientos eléctricos del Canal RAMBUS, un bus de alta velocidad que opera a una tasa de reloj de 400 MHz el cual habilita una tasa de datos de 800MHz. Por motivos comerciales se la denomina PC600, PC700 y PC800 siendo sus capacidades de transferencia las siguientes:

Rambus PC600: 2x2 bytes/ciclo x 300 Mhz = 1,20 Gb/s

Rambus PC700: 2x2 bytes/ciclo x 356 Mhz = 1,42 Gb/s

Rambus PC800: 2x2 bytes/ciclo x 400 Mhz = 1,60 Gb/s

ESDRAM

Fecha de introducción: A mediados de año de 1999

Descripción de la tecnología

Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales

Para superar algunos de los problemas de latencia inherentes con los módulos de memoria DRAM standar, varios fabricantes han incluido una cantidad pequeña de SRAM directamente en el chip, eficazmente creando un caché en el chip. Permite tiempos de latencia más bajos y funcionamientos de 200 mhz. La SDRAM oficia como un caché dentro de la memoria. Existe actualmente un chipset que soporta este tipo de memoria, un chipset de socket 7.Una de las desventajas de estas memorias es que su valor es 4 veces mayor al de la memoria DRAM

DDR3 – 800
Fecha de introducción: Junio del 2004
Velocidad de transferencia
Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2, puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. Trabajan a un voltaje de 1.5V mientras que las DDR2 trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s

DDR3 – 1066
Fecha de introducción: Mayo del 2007
Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s

DDR3 – 1600
Fecha de introducción: Julio de 2007
Velocidad de transferencia de la información12.80 GB/s @ 1600 MHz

DDR3 – 2000
Fecha de introducción: Marzo de 2008 (pruebas)
Velocidad de transferencia
16.0 GB/s @ 2000 MHz

Flash Memory
Este tipo de memoria se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente Windows Vista nos la opción de utilizarla también como memoria RAM, a continuación las características:
Descripción de la tecnología
Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías como teléfonos móviles, PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio o simples dispositivos de almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, basadas en NOR y NAND.
La velocidad de transferencia de estas tarjetas, al igual que la capacidad de las mismas, se ha ido incrementando progresivamente, generalmente la velocidad es mayor en lectura que en escritura. Las más comunes actualmente tienen una velocidad de transferencia de ~20 MB/s, aunque la nueva generación de tarjetas permitirá velocidades de hasta 30 MB/s